| 項(xiàng)目名稱 | 高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng) | 項(xiàng)目編號(hào) | **** |
| 公告開始日期 | **** 14:17:14 | 公告截止日期 | **** 15:00:00 |
| 采購單位 | 點(diǎn)擊登錄查看 | 付款方式 | 預(yù)付40%，發(fā)貨支付10%，貨到驗(yàn)收合格后支付50% |
| 聯(lián)系人 | | 聯(lián)系電話 | |
| 簽約時(shí)間要求 | | 到貨時(shí)間要求 | 簽訂合同后2個(gè)月內(nèi) |
| 預(yù)算總價(jià) | ￥400000.00 |
| 發(fā)票要求 | |
| 含稅要求 | |
| 送貨要求 | |
| 安裝要求 | |
| 收貨地址 | 點(diǎn)擊登錄查看青島校區(qū) |
| 供應(yīng)商資質(zhì)要求 | 符合《政府采購法》第二十二條規(guī)定的供應(yīng)商基本條件 |
| 公告說明 | |
| 采購商品 | 采購數(shù)量 | 計(jì)量單位 | 所屬分類 |
| 高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng) | 1 | 臺(tái) | 半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)量?jī)x |
| 品牌 | 沈陽科儀 |
| 型號(hào) | TRP450F |
| 預(yù)算單價(jià) | ￥ 400000.00 |
| 技術(shù)參數(shù)及配置要求 | 一、用途： 1.用于制備：Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni等。 2.多靶材傾斜共濺射的方式，可沉積混合物/化合物薄膜。 3.在濺射過程中加入氧、氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜。 4.設(shè)備簡(jiǎn)單易于控制、鍍膜面積大、薄膜附著力強(qiáng)，尤其適合高熔點(diǎn)和低蒸汽壓的材料。 5.磁控濺射技術(shù)是工業(yè)鍍膜的主要技術(shù)之一，易于科研成果轉(zhuǎn)化，是新技術(shù)向工業(yè)領(lǐng)域推廣的最經(jīng)濟(jì)有效的方法之一。 二、優(yōu)點(diǎn)： 1.此標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品具有高穩(wěn)定性、高重復(fù)性、低故障率、便于維護(hù)、高成熟度等特點(diǎn)。 2.通過控制真空室中的氣壓及濺射功率,就能獲得穩(wěn)定的沉積速率,通過精確地控制鍍膜時(shí)間,容易獲得均勻的高精度的膜厚,且重復(fù)性好。 3.基片與膜的附著強(qiáng)度是一般蒸鍍膜的10倍以上,且由于濺射粒子帶有高能量,在成膜面會(huì)繼續(xù)表面擴(kuò)散而得到硬且致密的薄膜，同時(shí)高能量使基片只要較低的溫度即可得到結(jié)晶膜。 4.濺射的薄膜表面微觀形貌比較精致細(xì)密，而且非常均勻。如濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學(xué)性能、電學(xué)性能及某些特殊性能。 5.在沉積大部分的金屬薄膜，尤其是沉積高熔點(diǎn)的金屬和氧化物薄膜時(shí)，如濺射鎢、鋁薄膜和反應(yīng)濺射TiO2、ZrO2薄膜，具有很高的沉積率。 6.磁控濺射鍍膜法不產(chǎn)生環(huán)境污染，可替代傳統(tǒng)的濕法電鍍。 三、均勻性：片內(nèi)膜厚均勻性：≤±5%： 四、極限真空度：≤6.6x10-6Pa(經(jīng)烘烤除氣后)； 五、抽速：從大氣開始抽氣：30分鐘可達(dá)到6.6x10-4 Pa； 六、保壓性能：系統(tǒng)停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5Pa； 七、真空室： 1. 單室結(jié)構(gòu)； 2. 手動(dòng)前開門； 3. 優(yōu)質(zhì)304不銹鋼材質(zhì)； 4. 尺寸約：Ф450mmx400mm； 5. 具備內(nèi)烘烤除氣功能； 6. 具備腔外照明功能； 八、磁控濺射靶： 1. 強(qiáng)磁靶：1套； 2. 永磁靶：2套； 3. 尺寸：2英寸； 4. 向上濺射； 5. 可實(shí)現(xiàn)傾斜共濺射； 6. 靶基距可調(diào)：90mm-130mm； 九、直流濺射電源： 1. 輸出功率：0-500W； 2. 數(shù)量：2套； 十、射頻濺射電源： 1. 輸出功率：0-500W； 2. 輸出頻率：13.56MHz； 3. 自動(dòng)匹配器； 4. 數(shù)量：1套； 十一、基片臺(tái)： 1. 尺寸：4英寸（兼容小尺寸基片）； 2. 數(shù)量：1片； 3. 鐵鉻鋁爐絲加熱，爐絲溫度： 800℃±1℃（無氧環(huán)境）； 4. 基片自轉(zhuǎn)速度：5～20轉(zhuǎn)/分； 5. 配有負(fù)偏壓電源； 十二、氣體流量控制器： 1. 氬氣：0-200SCCM（準(zhǔn)確度：±1.5%F.S）； 2. 氮?dú)猓?-50SCCM（準(zhǔn)確度：±1.5%F.S）； 3. 氧氣：0-50SCCM（準(zhǔn)確度：±1.5%F.S）； 十三、脂潤滑分子泵：1300L/S； 十四、旋片真空泵：13L/S； 十五、復(fù)合真空計(jì)：1x105Pa-1x10-7Pa； 十六、工藝薄膜規(guī)：13.3pa； 十七、電控系統(tǒng)： 磁控濺射類設(shè)備控制系統(tǒng)使用我公司自主開發(fā)的“PVD類設(shè)備智能控制系統(tǒng)V2.3”： 1.該系統(tǒng)具有完備的自鎖、互鎖保護(hù)系統(tǒng)，并對(duì)關(guān)鍵部件有完備的故障報(bào)警及報(bào)警動(dòng)作保護(hù)措施，確保設(shè)備使用安全。 2.該系統(tǒng)采用配方式自動(dòng)工藝流程，提供開放式工藝編輯、存儲(chǔ)與調(diào)取執(zhí)行，可實(shí)現(xiàn)真空獲得、控制溫度、鍍膜工藝、真空釋放等工藝的自由組合，并一鍵式全自動(dòng)運(yùn)行。 3.同時(shí)也可通過操作人機(jī)交互界面完成對(duì)設(shè)備中各部分模塊參數(shù)的手動(dòng)設(shè)置以及具體功能的手動(dòng)控制，并可查詢和導(dǎo)出系統(tǒng)運(yùn)行過程中監(jiān)測(cè)到的各種操作記錄以及產(chǎn)生的各種數(shù)據(jù)記錄。 4.該控制系統(tǒng)具有權(quán)限管理、模式管理功能，分頁功能區(qū)**** |
| 參考鏈接 | |
| 售后服務(wù) | 質(zhì)保期限:1年; |
信息來源：http://www.yuncaitong.cn/publish/****/20M5M2W9FWZRNTJI.shtml
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